FF225R12ME4 - Infineon Deutschland Verkauf

Marke	Infineon
Produkt	FF225R12ME4
Beschreibung	IGBT-Siliziummodule
Interner Code	IMP1344518
Gewicht	0.35
Benutzerdefinierter Code	85359000
Technische Spezifikation	INFINEON TECHNOLOGIES AG MODUL IGBT 1200V 225A Produkt: IGBT-Siliziummodule Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 1200 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2,15 V Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 225 A Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA Pd - Verlustleistung: 1050 W Minimale Betriebstemperatur: - 40 C Maximale Betriebstemperatur: + 150 C Verpackung: Tray Marke: Infineon Technologies Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V Montagestil: Chassisbefestigung Produkttyp: IGBT-Module Serie: Trench/Fieldstop IGBT4 - E4

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